非接觸厚度電阻率測(cè)試儀型號(hào)：JXNRT1
我司產(chǎn)品有：1）便攜式電阻率型號(hào)測(cè)試儀、2）硅材料型號(hào)測(cè)試儀、3）硅材料重?fù)椒诌x儀、4）硅材料電阻率測(cè)試儀、5）高清晰度電子目鏡。其產(chǎn)品定位于太陽能單晶（多晶）

產(chǎn)品型號(hào)：JXNRT1

更新時(shí)間：2024-02-11

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非接觸厚度電阻率測(cè)試儀型號(hào)：JXNRT1

非接觸厚度電阻率測(cè)試儀

一、測(cè)試原理
1、電阻率測(cè)試探頭原理
電阻率測(cè)試模塊是由一對(duì)共軸渦流傳感器，以及后續(xù)的處理電路組成。將半導(dǎo)體硅片置于兩個(gè)探頭的間隙中時(shí)，在電磁場(chǎng)的作用下，半導(dǎo)體硅片中會(huì)產(chǎn)生渦流效應(yīng)，通過檢測(cè)渦流效應(yīng)的大小，可以換算出該硅片的電阻率和方塊電阻。本方法是一種非接觸無損測(cè)量的方法，不損傷材料表面，可以在大多數(shù)場(chǎng)合有效替代四探針法測(cè)試電阻率以及方塊電阻。
2、厚度測(cè)試探頭原理
厚度探頭采用的是一對(duì)共軸電容位移傳感器。電容傳感器具有重復(fù)性好，測(cè)試數(shù)值穩(wěn)定，技術(shù)成熟等優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于各種材料厚度的測(cè)試。

二、適用范圍
本設(shè)備為非接觸無損測(cè)量設(shè)備，測(cè)試過程中對(duì)硅片表面以及內(nèi)部不會(huì)造成損傷。特別適用于代替四探針法用于半導(dǎo)體硅片成品分選檢驗(yàn)。一臺(tái)儀器可以同時(shí)對(duì)厚度和電阻率兩個(gè)指標(biāo)進(jìn)行測(cè)試分選，減少了測(cè)試工序和測(cè)試時(shí)間，提高了測(cè)試效率。
典型的客戶：科研單位、硅片生產(chǎn)廠商、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠商、光伏企業(yè)、導(dǎo)電薄膜研發(fā)生產(chǎn)企業(yè)。
三、儀器構(gòu)成
1、測(cè)試主機(jī)：1 臺(tái)
2、電源線：1 根
3、串口數(shù)據(jù)線：1 根
4、電腦端軟件：1 套
5、塑料定位柱：2 個(gè)

四、儀器外觀尺寸結(jié)構(gòu)及圖片
1、整機(jī)尺寸：340*260*180mm
2、機(jī)箱顏色：電腦白

3、儀器結(jié)構(gòu)：本儀器采用厚度探頭和電阻率探頭前后并列安裝的方式。
五、儀器主要指標(biāo)
1、電氣規(guī)格
a. 使用標(biāo)準(zhǔn)三插頭，由 220V 交流電供電，整機(jī)功耗小于 15 瓦。
b. 本儀器測(cè)試平臺(tái)和外殼均為金屬材料，按照安全規(guī)范，請(qǐng)確保電源地線正確連接。
2、測(cè)試范圍
測(cè)試樣品要求：厚度小于 600um 的半導(dǎo)體硅片以及其他類似材料。(為客戶提供特殊定制，厚度Z大的測(cè)試范圍可以擴(kuò)展到 800um)
電阻率范圍： L 檔： 0.2-5 Ω·cm
H 檔： 5-50 Ω·cm
注：電阻率不在上述量程范圍內(nèi)的可以按要求調(diào)整，調(diào)整的范圍可以在0.001-100Ω*cm。
厚度范圍： 100-600 um （定制版可以做到 300-800um）注：普通版本厚度大于 700um 的硅片無法放入測(cè)試區(qū)域。